1，存储矩阵：由大量存储单元构成
2，译码驱动：提供一行数据的电源
3，读写电路：为存储矩阵提供控制信息
4，片选线：是否选中这个芯片，用于容量扩充
5，地址线：外部信号选通那一行的信息单元
6，数据线：读出一行的地址，可以知道一个存储单元有多少位
7，数据线数和地址线数共同反映了存储芯片容量的大小
主存主要采用的芯片
DRAM和SRAM
RAM随机存储器
SRAMDRAM存储信息（0/1）触发器电容破坏性读出稳态破坏性需要刷新不需要需要送行列地址（行地址、列地址）因为行列地址不同，需要一次性行列长度相同，可以采用分两次发送，地址线减半运行速度快慢集成度低高发热量大小存储成本高低现在一般是SDRAM
行列地址
n位地址，就会有2^n条线来选通，太多线，DRAM采用坐标的方式定位到某个存储单元前n/2为行地址，后n/2为列地址这样只需要2*2^(n/2)条选通线每次刷新一行的单元
如何刷新
有专门的硬件支持，占用一个读写周期，读了马上写什么时候刷新
刷新时间是2ns也就是2ns内需要刷新全部的行，刷新时间为一个读写周期三种刷新模式
分散刷新： 每读写一次就刷新一次 集中刷新： 一个周期内专门挑出一段时间来进行全部行的刷新 异步刷新： 2ns内算出要多少间隔来进行刷新，这样死时间不集中