SSD1306是一款单片CMOS OLED/PLED驱动器，具有有机/聚合物发光控制器二极管点阵图形显示系统。它由128个段和64个公共部分组成。这个IC是为普通阴极型OLED面板设计。 SSD1306内置对比度控制、显示RAM和振荡器，减少了外部组件和功耗。它有256级亮度控制。数据/命令是从通用单片机通过硬件可选的6800/8000系列兼容并行接口发送，I2C接口或串行外围接口。它适用于许多紧凑型便携式应用程序，例如手机副显示屏、MP3播放器、计算器等。
•分辨率:128x64点矩阵面板 •电力供应 IC逻辑的o V= 1.65V到3.3VDD 面板驱动oV= 7V至15VCC •用于矩阵显示 oOLED驱动输出电压，最大15V 最大源电流:100uA 共同最大下沉电流:15mA o256步进对比亮度电流控制 •嵌入式128 x 64位SRAM显示缓冲区 •Pin可选择的MCU接口: o8位6800/8080系列并联接口 o3 /4线串行外围接口 oIC接口2 •可在水平和垂直方向连续滚动屏幕 •RAM写入同步信号 •可编程帧速率和多路复用比 •行映射和列映射 •芯片上的振荡器 •COG和COF芯片布局 •操作温度范围广:-40℃至85℃
分辨率：128 x 64点矩阵面板
•电源 对于IC逻辑，o V DD=1.65V至3.3V 对于面板驱动，o V CC=7 V至15 V •用于矩阵显示 o OLED驱动输出电压，最大15V o段最大源电流：100uA o公共最大吸收电流：15mA o 256阶对比亮度电流控制 •嵌入式128 x 64位SRAM显示缓冲器 •引脚可选MCU接口： o 8位6800/8080串并联接口 o 3/4线串行外围接口 o I 2 C接口 •水平和垂直方向的屏幕保存连续滚动功能 •RAM写入同步信号 •可编程帧速率和多路复用比率 •行重新映射和列重新映射 •片上振荡器 •COG和COF芯片布局 •工作温度范围广：-40°C至85°C
图4-1 SSD1306的框图 ## 功能块说明 MCU接口选择
SSD1306单片机接口由8个数据引脚和5个控制引脚组成。表8-1总结了不同接口模式下的引脚分配。在BS[2:0]引脚上通过硬件选择可以设置不同的MCU模式（BS[2:0]设置见表7-1）。 ### 单片机并行6800系列接口 并行接口由8个双向数据管脚（D[7:0]）、R/W#、D/C#、E和CS#。低R/W表示写操作，高R/W表示读操作。D/C低表示命令读/写，D/C高表示数据读/写。当CS#较低时，E输入用作数据锁存信号。数据被锁存在E信号的下降沿。
请注意 (1) ↓表示信号H下降沿，表示高in信号L表示低in信号 为了使显示RAM的工作频率与微处理器的工作频率相匹配，在内部执行一些管道处理，这需要在第一次实际读取显示数据之前插入一个虚拟读取。如图8-1所示。 ### 单片机并行8080系列接口
并行接口由8个双向数据管脚（D[7:0]）、RD#、WR#、D/C#和CS#。
D/C低表示命令读/写，D/C高表示数据读/写。
当CS保持在较低水平时，RD输入的上升沿用作数据读取锁存信号。
WR#输入的上升沿用作数据/命令写入锁存信号，而CS#保持较低。
为了使显示RAM的工作频率与微处理器的工作频率相匹配，一些流水线
在内部执行处理，这需要在第一次实际显示之前插入一个虚拟读取
数据读取。如图8-4所示 ## MCU串行接口（4线SPI）
4线串行接口包括串行时钟：SCLK、串行数据：SDIN、D/C、CS。在4线SPI模式下，
D0充当SCLK，D1充当SDIN。对于未使用的数据引脚，D2应保持打开状态。从D3到D7、E和R/W（WR）可连接到外部接地。 SDIN在SCLK的每个上升沿按D7，D6，…的顺序移位到一个8位移位寄存器中。。。D0。付款交单#
每八个时钟采样一次，移位寄存器中的数据字节写入图形显示数据
同一时钟中的RAM（GDDRAM）或命令寄存器。
三线串行接口由串行时钟SCLK、串行数据SDIN和CS组成。
在3线SPI模式下，D0充当SCLK，D1充当SDIN。对于未使用的数据引脚，D2应保持打开状态。
从D3到D7、R/W#（WR#）、E和D/C#的针脚可以连接到外部接地。
该操作类似于4线串行接口，而不使用D/C#引脚。一共有9位威尔
在每九个时钟上按顺序移入移位寄存器：D/C位，D7到D0位。D/C位（第一位
将决定移位寄存器中的以下数据字节写入显示器
数据RAM（D/C位=1）或命令寄存器（D/C位=0）。在串行模式下，只执行写操作
是允许的。
I2C通信接口由从机地址位SA0、I2C总线数据信号SDA（SDA OUT/D2 for
输出和SDA IN/D 1用于输入）和I 2 C总线时钟信号SCL（D 0）。数据和时钟信号必须
连接到上拉电阻器。RES用于设备初始化。
`a） 从属地址位（SA0）
SSD1306必须在通过发送或接收任何信息之前识别从属地址
I 2 C总线。设备将响应从地址后接从地址位（“SA0”位）
读/写选择位（“R/W#”位），字节格式如下，
b 7 b 6 b 5 b 4 b 3 b 2 b 1 b 0
0 1 1 1 0 SA0 R/W#
“SA0”位提供从机地址的扩展位。“0111100”或“0111101”可以是
选择为SSD1306的从机地址。D/C引脚作为从机地址选择的SA0。
“R/W#”位用于确定I2C总线接口的操作模式。R/W#=1，它处于读取状态
模式。R/W#=0，处于写入模式。
b） I 2 C总线数据信号（SDA）
SDA作为发射机和接收机之间的通信信道。数据和
确认通过SDA发送。
应注意，ITO轨道电阻和“SDA”引脚处的上拉电阻
分压器。因此，确认将不可能获得有效的
“SDA”中的逻辑0电平。
“SDA IN”和“SDA OUT”连接在一起，充当SDA。“SDA IN”引脚必须连接到
担任SDA。“SDA OUT”引脚可能断开。当“SDA OUT”引脚断开时
在I2C总线中，确认信号将被忽略。
c） I 2 c总线时钟信号（SCL）
i2c总线中的信息传输遵循时钟信号SCL。每次传输
数据位发生在SCL的单个时钟周期内。
I2C总线接口提供了向设备写入数据和命令的权限。请参考图8-7
i2c总线按时间顺序的写入方式。
1） 主设备通过启动条件启动数据通信。开始的定义
条件如图8-8所示。通过将SDA从高位拉至
低而SCL保持高水平。
2） 从机地址遵循开始条件以供识别使用。对于SSD1306，从机
地址可以是“b0111100”或“b0111101”，方法是将SA0更改为低或高（D/C引脚充当
SA0）。
3） 通过将R/W位设置为逻辑“0”来建立写入模式。
4） 在接收到一个字节的数据（包括从机）后，将生成一个确认信号
地址和R/W位。有关
确认信号。确认位被定义为SDA线在高电平时被拉下
确认相关时钟脉冲的周期。
5） 在从机地址传输后，控制字节或数据字节可以被发送
SDA。控制字节主要由Co和D/C位组成，后跟6个“0”。
a、 如果Co位被设置为逻辑“0”，则以下信息的传输将包含
仅数据字节。
b、 D/C位决定下一个数据字节作为命令或数据。如果D/C位是
设置为逻辑“0”，它将以下数据字节定义为命令。如果D/C位设置为
逻辑“1”，它将以下数据字节定义为将存储在GDDRAM中的数据。
GDDRAM列地址指针将在每个指针之后自动增加一个
数据写入。
6） 在接收到每个控制字节或数据字节后，将生成确认位。
7） 当应用停止条件时，写入模式将结束。还定义了停止条件
图8-8。停止条件是通过将“SDA in”从低拉到高，同时
“SCL”保持高水平。
请注意，数据位的传输有一些限制。
1在每个SCL脉冲期间传输的数据位必须保持在“高”范围内的稳定状态
时钟脉冲的周期。有关图形表示，请参考图8-10。启动或
停止条件下，数据线只能在SCL较低时切换。
2数据线（SDA）和时钟线（SCL）都应该由外部电阻器拉上来。
此模块确定输入数据是被解释为数据还是命令。数据是基于解释的
在D/C引脚输入时。
如果D/C引脚高，D[7:0]被解释为写入图形显示数据RAM（GDDRAM）的显示数据。
如果它是低的，在D[7:0]处的输入被解释为一个命令。然后数据输入将被解码并写入
相应的命令寄存器。
该模块是一种片上低功耗RC振荡器电路。可以生成操作时钟（CLK）
从内部振荡器或外部源CL引脚。该选择由CLS引脚完成。如果CLS引脚
拉高，选择内部振荡器，CL应保持打开。将CLS引脚拉低禁用
内部振荡器和外部时钟必须连接到CL引脚才能正常工作。当内部
选择振荡器，其输出频率Fosc可通过命令D5h A[7:4]改变。
显示定时发生器的显示时钟（DCLK）来自CLK。除法因子“D”
可通过命令D5h从1编程到16 DCLK = F OSC / D 显示的帧频由以下公式确定。 哪里
•D代表时钟分频比。通过命令D5h A[3:0]设置。分割比的范围是1到
16
•K是每行显示时钟的数量。该值由
K=相位1周期+相位2周期+BANK0脉冲宽度
=2+2+50=54通电复位
（有关“阶段”的详细信息，请参阅第8.6节“段驱动程序/通用驱动程序”）
•多路复用比率的数量由命令A8h设置。上电复位值为63（即64MUX）。
•F OSC是振荡器频率。可通过命令D5h A[7:4]进行更改。寄存器越高
设置会导致更高的频率。
FR同步信号可以用来防止撕裂效应。 OLED的写入速度取决于MCU开始写入图像的速度。如果MCU可以
在一帧周期内完成一帧图像的写入，属于快速写入MCU。满足MCU需求
完成的写入时间较长（超过一个帧但在两个帧内），这是一个缓慢的写入。
对于快速写入MCU：MCU应在FR脉冲上升沿后开始写入新的ram数据帧
应在下一个FR脉冲上升沿之前完成。
对于慢写MCU：MCU应该在第一个FR的下降沿之后开始写入新的帧ram数据
必须在第3个FR脉冲上升沿之前完成。
当RES输入低时，芯片初始化为以下状态：
1显示器关闭
2128 x 64显示模式
三。正常段和显示数据列地址和行地址映射（SEG0映射到
地址00h和COM0映射到地址00h）
4串行接口中的移位寄存器数据清除
5显示起始线设置在显示RAM地址0
6列地址计数器设置为0
7COM输出的正常扫描方向
8对比度控制寄存器设置为7Fh
9正常显示模式（相当于A4h命令）
段驱动提供128个电流源来驱动OLED面板。驱动电流可调
从0到100uA，256步。普通驱动器产生电压扫描脉冲。
段驱动波形分为三个阶段：
1在阶段1中，前一图像的OLED像素电荷被放电以准备下一个图像
图像内容显示。
2在第二阶段，OLED像素被驱动到目标电压。像素被驱动以获得
V SS对应的电压电平。阶段2的周期可以编程为1到
15个DCLK。如果OLED面板像素的电容值较大，则需要较长的周期
给电容器充电以达到所需电压。
三。在第3阶段，OLED驱动程序切换到使用电流源驱动OLED像素，这是
当前驱动阶段。 在完成第3阶段之后，驱动IC将返回到阶段1以显示下一行图像数据。这三个-
连续运行步进循环以刷新OLED面板上的图像显示。
在第3阶段，如果电流驱动脉冲宽度的长度设置为50，则在电流驱动完成50 DCLKs后
阶段，驱动器IC将返回第1阶段以进行下一行显示。
GDDRAM是一个位映射的静态RAM，保存要显示的位模式。RAM的大小是
128 x 64位，RAM分为8页，从第0页到第7页，用于
单色128x64点阵显示器，如图8-13所示。
当一个数据字节被写入GDDRAM时，当前的同一页的所有行都会镜像数据
列被填充（即，列地址指针指向的整列（8位）被填充）。数据位D0
写入顶行，数据位D7写入下行，如图8-14所示。 对于机械灵活性，段和公共输出的重新映射可以通过软件as选择
如图8-13所示。
对于显示器的垂直移位，可以设置存储显示起始线的内部寄存器来控制
要映射到显示器的RAM数据的一部分（命令D3h）。
此块用于将输入电源导出到不同级别的内部使用电压和
电流。
•V CC是最正电压源。
•V COMH是常见的取消选择级别。它是内部监管的。
•V LSS是模拟和面板电流的接地路径。
•I REF是段电流驱动器I段的参考电流源。参考文献之间的关系
颜色的当前和段电流为：
I SEG=对比度/256 x I REF x比例因子
在哪儿
对比度（0~255）由set contrast命令81h设置；并且
默认情况下，比例因子为8。
I REF的大小由电阻值控制，该电阻连接在I REF引脚和
Vss如图8-15所示。建议将I REF设置为12.5±2uA，以实现I SEG=
100uA最大对比度255。 由于I REF引脚处的电压为V CC–2.5V，电阻器R1的值可以如下所示：
下图说明了SSD1306的建议通电和断电顺序
上电顺序：
1上电V DD
2 VDD稳定后，将RES#引脚低（逻辑低）至少设置3us（t1），然后设置高（逻辑
高）。 3.设置RES引脚低（逻辑低）后，至少等待3us（t2）。然后打开V CC。（一）
4当VCC稳定后，发送命令AFh显示ON。SEG/COM将在100毫秒后开启
（t AF）。
断电顺序：
1发送命令AEh关闭显示。
2关闭V CC电源。（1） ，（2）
三。等t关。关闭V DD。（其中最小t关闭=0毫秒，典型t关闭=100毫秒）
注：
（1） 因为ESD保护电路连接在VDD和vcc，当vdd为
打开，V CC关闭，如图8-16和图8-17中V CC的虚线所示。
（2）关闭时，V CC应保持浮动（即禁用）。
（3） 电源引脚（VDD，V CC）即使断电也不能拉到地面。
注意
（1） “*”代表“不用在意”。 注意
（1） 除了命令表中给出的模式之外，禁止将这些模式作为命令输入芯片；这是意外的
可能会出现结果。
要从GDDRAM读取数据，请为R/W#（WR#）引脚选择HIGH，为6800选择D/C#引脚-
串并联模式，E（RD#）引脚选择LOW，8080串并联选择D/C引脚HIGH
模式。串行模式操作中不提供数据读取。
在正常的数据读取模式下，GDDRAM列地址指针将在
每次读取数据。
另外，在第一次数据读取之前需要进行一次虚拟读取。
要将数据写入GDDRAM，请为R/W#（WR#）管脚选择LOW，为D/C#管脚选择HIGH
6800串并联模式和8080串并联模式。串行接口模式始终处于写入模式。
每次数据写入后，GDDRAM列地址指针将自动增加一个。
此命令指定显示数据RAM的8位列起始地址的下半字节
页面寻址模式。列地址将随每次数据访问而递增。请参阅第节
详见表9-1和第10.1.3节。
此命令指定显示数据RAM的8位列起始地址的高位半字节
页面寻址模式。列地址将随每次数据访问而递增。请参阅第节
详见表9-1和第10.1.3节。
SSD1306有3种不同的存储器寻址方式：页寻址方式、水平寻址方式
模式和垂直寻址模式。此命令将内存寻址方式设置为上述其中一种
三种模式。其中，“COL”表示图形显示数据RAM列。
页面寻址模式（A[1:0]=10xb）
在页面寻址模式下，在读/写显示RAM之后，列地址指针增加
自动按1。如果列地址指针到达列结束地址，则列地址指针为
重置为列起始地址，页地址指针未更改。用户必须设置新页面并
列地址，以便访问下一页RAM内容的移动顺序和
页寻址模式的列地址点如图10-1所示。
在正常显示数据RAM读写和页寻址模式下，需要执行以下步骤
定义起始RAM访问指针位置：
•通过命令B0h到B7h设置目标显示位置的页面起始地址。
•通过命令00h~0Fh设置指针的下起始列地址。
•通过10h~1Fh命令设置指针的上起始列地址。
例如，如果页地址设置为B2h，则下列地址为03h，上列地址为00h，
这意味着起始列是第2页的SEG3。RAM访问指针位于中所示的位置
图10-2。输入数据字节将写入第3列的RAM位置。
水平寻址模式（A[1:0]=00b）
在水平寻址模式下，在读/写显示RAM之后，列地址指针增加
自动按1。如果列地址指针到达列结束地址，则列地址指针为
重置为列起始地址，页地址指针增加1。运动的顺序
水平寻址模式的页和列地址点如图10-3所示。当两列
页地址指针到达结束地址时，指针重置为列起始地址和页起始地址
地址（图10-3虚线）
垂直寻址方式：（A[1:0]=01b）
在垂直寻址模式下，在读/写显示RAM之后，页地址指针增加
自动按1。如果页面地址指针到达页面结束地址，页面地址指针将重置
页起始地址和列地址指针增加1。页面的移动顺序
垂直寻址方式的列地址点如图10-4所示。当列和页同时出现时
地址指针到达结束地址，指针重置为列起始地址和页面起始地址
（图10-4虚线） 在正常显示数据RAM读写和水平/垂直寻址模式下，以下步骤是
需要定义RAM访问指针位置：
•通过命令21h设置目标显示位置的列起始地址和结束地址。
•通过命令22h设置目标显示位置的页面起始地址和结束地址。
示例如图10-5所示。
指定该命令的三字节起始地址。这个
命令还将列地址指针设置为列起始地址。此指针用于定义
图形显示数据RAM中的当前读/写列地址。如果水平地址增量模式是
通过命令20h启用，在完成一列数据的读/写后，它将自动递增到
下一列地址。每当列地址指针完成对结束列地址的访问时，它
重置回起始列地址，行地址将增加到下一行。
这个三字节命令指定显示数据RAM的页面起始地址和结束地址。这个
命令还将页地址指针设置为页起始地址。此指针用于定义当前
读/写图形显示数据RAM中的页地址。如果垂直地址增量模式由
命令20h，读/写一页数据后，自动递增到下一页
地址。每当页地址指针完成对结束页地址的访问时，它将被重置回起始
页面地址。
下图显示了列和页地址指针在示例中的移动方式：column
起始地址设置为2，列结束地址设置为125，页面起始地址设置为1，页面结束
地址设置为6；水平地址增量模式由命令20h启用
显示数据RAM列的可访问范围是从第2列到第125列以及从第1页到第6页。
另外，指针被设置为地址列，指针被设置为地址1。完成后
读/写一个像素的数据，列地址自动增加1以访问下一个RAM
下一次读/写操作的位置（图10-5中的实线）。每当列地址指针
完成对结束列125的访问，它被重置回第2列，并且页面地址被自动设置
增加了1（图10-5中的实线）。而结束页6和结束列125的RAM位置是
访问后，页面地址重置为1，列地址重置为2（图中虚线
10-5。
此命令设置显示起始行寄存器，以确定显示RAM的起始地址，方法是选择
从0到63的值。值等于0时，RAM行0映射到COM0。值等于1，RAM
第1行映射到COM0，依此类推。
更多图示请参考表10-1
此命令设置显示器的对比度设置。该芯片从00h到FFh有256个对比度步长。这个
分段输出电流随对比度阶跃值的增大而增大。
此命令更改显示数据列地址与段驱动程序之间的映射。它
允许OLED模块设计的灵活性。请参考表9-1。
此命令仅影响后续数据输入。已存储在GDDRAM中的数据将不会有任何更改。
A4h命令根据GDDRAM内容启用显示输出。
如果发出了A5h命令，那么通过使用A4h命令，显示将恢复到GDDRAM内容。
换句话说，一个4h命令从整个显示“打开”阶段恢复显示。
A5h命令强制整个显示器“打开”，而不考虑显示数据RAM的内容。
此命令将显示设置为正常或反向。在正常显示中，RAM数据为1表示
“ON”像素，而在反向显示时，RAM数据为0表示“ON”像素。
此命令将默认的63多路复用模式切换到16到63之间的任何多路复用比率。这个
输出垫COM0~COM63将切换到相应的COM信号。
这些单字节命令用于打开或关闭OLED面板显示。
当显示器打开时，将打开“通过设置主配置选择的回路”命令。
当显示器关闭时，这些电路将被关闭，段和公共输出处于高电平
阻抗状态。这些命令将显示设置为以下两种状态之一：
此命令在页面寻址模式下将页面起始地址从0定位到7。
详见表9-1和10.1.3节。
此命令设置COM输出的扫描方向，允许OLED模块的布局灵活性
设计。此外，一旦发出此命令，显示屏将显示。例如，如果此命令是
在正常显示期间发送，则图形显示将立即垂直翻转。请参考
详见表10-3。
这是一个双字节命令。第二个命令指定将显示起始行映射到
COM0~COM63（假设COM0是显示起始线，则显示起始线寄存器等于0）。
例如，为了将COM16向COM0方向移动16行，第二个字节中的6位数据
应为010000b。若要以16行相反的方向移动，则6位数据应通过
64–16，因此第二个字节将是100000b
设置命令C0h/C8h和D3h的示例。
此命令包含两个功能：
•显示时钟分频比（D）（A[3:0]）
设置分频比以从CLK生成DCLK（显示时钟）。除法比是1到16，
重置值=1。有关DCLK与CLK的详细关系，请参阅第8.3节。
•振荡器频率（A[7:4]）
如果CLS引脚拉高，则编程振荡器频率Fosc，这是CLK的来源。4位
该值导致16个不同的频率设置可用，如下所示。默认设置为
1000磅。
此命令用于设置预充电期间的持续时间。间隔以数量计
DCLK，其中重置等于2 DCLK。
此命令设置COM信号管脚配置以匹配OLED面板硬件布局。桌子
以下显示了不同条件下的COM引脚配置（对于MUX比率=64）：
此命令调整V COMH调节器输出。
无操作命令
在数据读取过程中，通过将D/C设置为“低”来发出此命令（参见图13-1至图13-2
并行接口波形）。它允许MCU监控芯片的内部状态。无状态读取为
提供串行模式。
此命令由5个连续字节组成，用于设置水平滚动参数并确定
滚动起始页、结束页和滚动速度。
发出此命令前，必须停用水平滚动（2Eh）。否则，RAM内容可能
堕落。
SSD1306水平卷轴设计用于128列滚动。以下两幅图（图10-7，
图10-8，图10-9）显示了使用水平滚动条的示例：
此命令由6个连续字节组成，用于设置连续垂直滚动参数和
确定滚动起始页、结束页、滚动速度和垂直滚动偏移量。
命令29h/2Ah的字节B[2:0]、C[2:0]和D[2:0]用于设置连续水平
滚动。字节E[5:0]用于设置连续垂直滚动偏移量。所有这些字节在一起
用于设置连续对角线（水平+垂直）滚动。如果垂直滚动偏移字节
E[5:0]设为零，则只执行水平滚动（如命令26/27h）。
在发出此命令之前，必须停用滚动条（2Eh）。否则，RAM内容可能是
堕落。下图（图10-10）显示了使用连续垂直和
水平滚动：
此命令停止滚动运动。发送2Eh命令取消滚动操作后，
ram数据需要重写。
此命令启动滚动运动，仅在滚动设置参数。由滚动设置命令定义：26h/27h/29h/2Ah。上次滚动设置中的设置。命令覆盖先前滚动设置命令中的设置。 激活滚动后禁止以下操作
1RAM访问（数据写入或读取）
2更改水平滚动设置参数
此命令由3个连续字节组成，用于设置垂直滚动区域。对于连续垂直
滚动功能（命令29/2Ah），可将垂直滚动中的行数设置为小于或等于
MUX比率。
最大额定值是指超过该值可能对设备造成损坏的数值。功能操作应限于
电气特性表或引脚说明部分中的限制
此设备可能是光敏的。在正常情况下，应注意避免本设备暴露在任何光源下
操作。这个设备没有辐射防护。
